壓電雙晶片由多層壓電陶瓷共燒而成,可獨立控制每層陶瓷的驅(qū)動電壓。壓電雙晶片的自由端可以彎曲產(chǎn)生位移,位移的幅度和方向與施加的電壓具有函數(shù)關系。產(chǎn)品規(guī)格與性能參數(shù)對標國際先進公司水平，目前已實現(xiàn)批量化生產(chǎn)。
通用外形尺寸，單位:mm
|
單位 |
公差 |
PAA-B20-08W |
PAA-B32-08W |
|
|
運動軸 |
Z |
Z |
||
|
最大位移 |
μm |
±15% |
±135 |
±450 |
|
遲滯 |
<15% |
<15% |
||
|
負載 |
N |
最大值 |
1.4 |
1.5 |
|
電氣性能 |
||||
|
驅(qū)動電壓 |
V |
0-150 |
0-150 |
|
|
諧振頻率 |
Hz |
最大值 |
930 |
350 |
|
介電損耗 |
<2.0% |
<2.0% |
||
|
電容 |
nF |
±15% |
145/單側(cè) |
550/單側(cè) |
|
其他 |
||||
|
工作溫度范圍 |
°C |
-25~130 |
-25~130 |
|
|
電極 |
銀 |
銀 |
||
|
電纜長度 |
mm |
±5mm |
75 |
75 |
|
居里溫度 |
°C |
230 |
230 |
|
|
外觀尺寸 |
||||
|
A |
mm |
±0.5mm |
20 |
32 |
|
B |
mm |
±0.1mm |
8 |
7.8 |
|
L |
mm |
±0.1mm |
0.8 |
0.8 |
|
MTTF |
year |
27.29 |
1.9 |
|
* 位移測試：驅(qū)動電壓0~150V，公差±20%
** 推力測試：驅(qū)動電壓0~150V
*** 電容測試條件：常溫環(huán)境，1Vpp，1kHz，公差±20%
**** MTTF測試條件：150V、85%濕度、85℃環(huán)境
標準線束，長度75mm，AWG32，PTFE絕緣
可提供預裝基板版本，產(chǎn)品型號加S
其他規(guī)格可根據(jù)客戶需求進行定制
